詳細摘要： 盛美上海的邊緣濕法刻蝕設備支持多種器件和工藝，包括3D NAND、DRAM和*邏輯工藝，使用濕法刻蝕方法來去除晶圓邊緣的各種電介質、金屬和有機材料薄膜，以及顆粒...
產品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-11 在線留言盛美半導體設備（上海）股份有限公司
盛美半導體設備（上海）股份有限公司
詳細摘要： 盛美上海的邊緣濕法刻蝕設備支持多種器件和工藝，包括3D NAND、DRAM和*邏輯工藝，使用濕法刻蝕方法來去除晶圓邊緣的各種電介質、金屬和有機材料薄膜，以及顆粒...
產品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-11 在線留言
詳細摘要： 盛美上海的前道涂膠顯影設備支持Arf工藝，未來可拓展至i-line、KrF等光刻工藝，可滿足半導體集成電路制造商的光刻工藝需求。
產品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-11 在線留言
詳細摘要： 盛美上海的等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備可應用于SiO2, SiNx, Carbon，NDC薄膜沉積工藝， 未來可以擴展至單片式PEALD薄膜沉積工...
產品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-11 在線留言
詳細摘要： 盛美技術——空間交變相位移(SAPS™)技術，通過控制兆聲波清洗裝置與晶圓的間距隨兆聲波相位的變化，來實現(xiàn)兆聲波在晶圓表面的均勻分布，以達到化的清洗...
產品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-07 在線留言
詳細摘要： 盛美持有的技術——時序能激氣穴震蕩（TEBO）技術，使用創(chuàng)新的兆聲波清洗方式來實現(xiàn)無損傷清洗，可應用于現(xiàn)在和未來幾代*器件中，如3D圖形片，極小尺寸，高深寬比結...
產品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-07 在線留言
詳細摘要： 盛美的背面清洗設備可用于晶圓背面清洗或者濕法刻蝕工藝， 同時通過伯努利夾盤為晶圓背面提供氮氣保護。 該設備可廣泛應用于集成電路制造和晶圓級封裝領域。
產品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-07 在線留言
詳細摘要： 盛美的Ultra C單晶圓清洗系列可廣泛應用于*集成電路制造中多種前段工藝（FEOL）和后段工藝（BEOL）,可跟據不同應用配備不同化學藥液與輔助清洗方式，也可...
產品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-07 在線留言
詳細摘要： 盛美的高溫硫酸清洗設備Tahoe將槽式模塊和單片清洗模塊集成于同一設備中，以實現(xiàn)高效的清洗性能，并且其硫酸使用量只有傳統(tǒng)SPM單片清洗設備的10%甚至更少。該設...
產品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-07 在線留言
詳細摘要： 盛美的槽式濕法設備用于批式晶圓濕法清洗、刻蝕、光刻膠去除等工藝，提供多個槽體進行化學藥液或純水，結合熱浸、噴淋、溢流、快速沖洗等清洗方式，配合*的IPA干燥方式...
產品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-07 在線留言
詳細摘要： 盛美的立式爐設備可大批量處理300毫米的晶圓，該設備平臺可應用于高性能的半導體制造LPCVD、氧化、退火和ALD應用。
產品型號：所在地：上海市更新時間：2023-08-07 在線留言您感興趣的產品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
百分零部件網 設計制作，未經允許翻錄必究 .? ? ?
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
